軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑、增強(qiáng)光刻膠的粘附性、釋放旋轉(zhuǎn)涂膠產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力、改善線寬控制、防止光刻膠粘附到其他器件上。軟烘在真空熱板上進(jìn)行，軟烘設(shè)備工作原理如圖2.17所示，硅片放在真空熱板上，熱量從硅片背面通過熱傳導(dǎo)方式加熱光刻膠。一般軟烘溫度為85~120℃，時間為30~60S。軟烘后將硅片轉(zhuǎn)移到軌道系統(tǒng)的冷板上冷卻以便下一步操作。

以光學(xué)紫外曝光為例，首先將硅片定位在光學(xué)系統(tǒng)的聚焦范圍內(nèi)，硅片的對準(zhǔn)標(biāo)記與掩模版上相匹配的標(biāo)記對準(zhǔn)后，紫外光通過光學(xué)系統(tǒng)和掩模版圖形進(jìn)行投影。掩模版圖形若以亮暗的特征出現(xiàn)在硅片上，這樣光刻膠就曝光了。