圓片在基區擴散后，發射區擴散前都要做先行片，由先行片的實驗工藝條件來指導批量生產，在測試前需要進行特性光刻開特性孔，特性光刻后進行前處理：在加熱到（75±5）℃的2號液中煮一段時間，然后再進行H₂處理，后利用四探針測試儀測試晶體管的特性。

H₂處理的工藝溫度為500℃，進行H₂處理的目的是為了改善硅片表面的表面態密度，由于硅片特性光刻后在表面形成很多硅的懸掛鍵，即存在很多表面態，通過H₂處理可以將硅懸掛鍵和氫鍵結合從而減少界面態，如果不進行H₂處理，特性測試不出來。

對于三極管（小功率和大功率）來說，主要是雙結測試，主要測試參數有BVCBO、BVCEO、BVEBO、HFE，如果HFE偏小，則需要追加擴散，一般擴散時間越長，HFE越大，當然HFE均勻性也很重要，不能太離散。對于大功率晶體管還需要在基區擴散后進行單結，主要測試BVCBO。